==法律认证==

===cp_car_fb_awp_sl_standards_for_interface_panel===
*IEC 60950-1:2005+A1:2009+A2:2013 https://en.wikipedia.org/wiki/List_of_IEC_standards (电器安全)
*CISPR 22 / EN55022 - class B, CISPR 24 /EN55024, IEC 61000-3-2 / EN 61000-3-2 and IEC 61000-3-3 / EN 61000-3-3 and deviations to IEC 60601-1-2:2007 and :2014 https://en.wikipedia.org/wiki/CISPR_22 , http://rfemcdevelopment.eu/index.php/en/emc-emi-standards/en-55022-2010 (EMC, EMI)
*UL 60950-1:2007 and ANSI/UL 60950-1 R10.14 http://ulstandards.ul.com/standard/?id=60950-1_1 (电器安全)
*CAN/CSA C22.2-60601-1-08 and -14 (alternative CAN/CSA C22.2.60950-1-07(R2012)) http://shop.csa.ca/en/canada/canadian-electrical-code-part-ii-general-requirements/cancsa-c222-no-0-10-r2015/invt/27005972010
*EN ISO 15223-1:2012 Medical devices - Symbols to be used with medical device labels,labelling and information to be supplied (identical to EN 980:2008, except additional symbols) 
*IEC 60721-3-2:1997 Environmental Conditions transport; IEC 60721-3-1:1997 Environmental Conditions stroage。 https://webstore.iec.ch/preview/info_iec60721-3-2%7Bed2.0%7Db.pdf
===fb_awp_sl_iec_environment===
Following environment requirements shall be used for the IEC tests. IEC 60601-1:2005, Clause 15.3.7
* Overvoltage category:II（过压）http://www.ele.uri.edu/courses/bme484/iec60601-1ed3.0_parts.pdf
*Rated operating altitude:2000m/80kPa（额定工作时海拔/气压）
*Comparative tracking index(CTI):3b（相比漏电起痕指数100 ≤ CTI < 175 ）
*Pollution degree:2（污染等级）
Prior to the high voltage test the system and its components shall be subjected to a humidity preconditioning treatment.<br>
Relative humidity of 93 % ± 3 %. Temperature + 20 °C to + 32 °C. The WAA is kept in the humidity cabinet for 48 h.
(IEC 60601-1:2005+A1:2012, Clause 5.7)

===fb_awp_sl_electrical_insulation===
The Dielectric strength/ Air clearance/ Creepage Distance of the relevant insulation barriers of the component shall be dimensioned according to the system insulation diagram [ACT_INSDIA].
(IEC 60601-1:2005+A1:2012 clause 8.8 / 8.9)


==ICE 60601==

IEC 60950 CB 偏差

CB NRTL 认证， NRTL（保险，安全）


TUV C US

CE 欧盟 (MDD)

spare part 要CE


EMI harmonic, flicker

pcb ul standards

==label ==
*temperature range
*humidity range
*label QR


==altitude 2000m/80kpa==
*temperature rise quicker
*ESD change (air eaiser pass through)
===第二批样品===
*存在的问题
 6月27号西门子进行读卡器测试，使用ATTO Disk Benchmark软件测试，结果速度过低，写入20多M每秒（正常），读取30多M每秒（过低）；第二天再次更换几张卡进行测试，读写速度依然过低，而且其中一个读卡器出现无法写入的情形。 读卡器插卡卡槽不能正确对准外壳开口，拔卡时外壳容易刮到SD卡写保护。
*调试过程
 1.先用陈工的电脑检测了一下，写入30M每秒，读取42M每秒左右，其中有一个确实写保护了，经过补焊芯片以及USB的TX、RX这两对差分线后测试，读取速度依然是42M每秒，然后换到吴工电脑上测试，读取速度峰值为86M每秒，再拿到宋工电脑上测试，读取速度峰值为106M每秒，使用ATTO Disk Benchmark测试正常。
 2.在宋工建议下去掉晶振的失能电阻（去掉后即使能外部晶振）以后，在我的电脑上也能正常读写，3个读卡器读取速度都达到80M以上，在宋工电脑上也能读到80M以上，但是其中一个读卡器在陈工电脑上只能读40M左右，另外两个可以读到80M以上。
 2.在win10上测试读取速度为80M以上之后，在linux系统上测试读取速度，其中一个为80M以上，另外两个为40M左右。经过补焊SD卡的ESD芯片以后，在linux系统上测试先前的两个问题读卡器，读取速度都超过了80M。不过之前那张在陈工电脑上测试读取速度为40M左右的读卡器，虽然在linux系统上能读到80M以上，但是在陈工电脑上读取速度依然是40M左右。
===测试===
 以下测试均使用读取速度为80MB/s的SD卡作为测试条件。
*功率测试
 将读卡器电源由电脑提供改为由5V电源供电，测得：
 静态电流为23mA，最大读取速度下电流为233mA，最大写入速度下电流为190mA。
 静态功耗为115mW，最大读取速度下功耗为1165mW，最大写入速度下功耗为950mW。
*温度测试
 环境温度为27℃，无外壳底座状态下，连续写入5分钟，芯片温度为44度，背面SK卡槽为38度。
 环境温度为27℃，外壳底座装好以后，连续写入5分钟，底座温度为33度。